Source of Surface Morphological Defects Formed on 4H-SiC Homoepitaxial Films

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Source of Surface Morphological Defects Formed on 4H-SiC Homoepitaxial Films

国立国会図書館請求記号
Z53-A375
国立国会図書館書誌ID
8086723
資料種別
記事
著者
Tatsuya Okadaほか
出版者
Tokyo : Published by the Japan Society of Applied Physics through the Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2006-10
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP 45(10A) (通号 641) 2006.10
掲載ページ
p.7625~7631
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デジタル

資料種別
記事
著者・編者
Tatsuya Okada
Kengo Ochi
Hiroyuki Kawahara 他
タイトル(掲載誌)
Japanese journal of applied physics. Part. 1, Regular papers, brief communications & review papers : JJAP
巻号年月日等(掲載誌)
45(10A) (通号 641) 2006.10
掲載巻
45
掲載号
10A
掲載通号
641
掲載ページ
7625~7631