極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討

• 資料種別: 記事
• タイトル: 極微細マルチゲートデバイスにおける面方位依存性の検討
• 著者・編者: 三成 英樹; 西谷 大祐; 森 伸也
• シリーズタイトル: シリコン材料・デバイス
• 著者標目: 三成 英樹; 西谷 大祐; 森 伸也
• 並列タイトル等: Crystalline orientation effects on device characteristics in ultra-small multi-gate devices
• タイトル（掲載誌）: 電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
• 巻号年月日等（掲載誌）: 107(297) 2007.10.30
• 掲載巻: 107
• 掲載号: 297
• 掲載ページ: 15～18
• 掲載年月日（W3CDTF）: 2007-10-30
• ISSN（掲載誌）: 0913-5685
• ISSN-L（掲載誌）: 0913-5685
• 出版事項（掲載誌）: 東京 : 電子情報通信学会
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: シリコン; MOSFET; ホール輸送; 結晶方位; 強結合近似法; 非平衡グリーン関数法; Silicon; Hole Transport; Crystalline Orientation; Tight-binding; NEGF
• NDLC: ZN33
• 対象利用者: 一般
• レポート番号（雑誌記事）: SDM2007-197
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z16-940
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 9256286; http://id.ndl.go.jp/bib/9256286
• 整理区分コード: 632