先端MOSFET技術におけるHiSIM2基板電流モデル (第20回回路とシステム軽井沢ワークショップ論文集 ; デバイスモデリング)

先端MOSFET技術におけるHiSIM2基板電流モデル

(第20回回路とシステム軽井沢ワークショップ論文集 ; デバイスモデリング)

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資料種別: 記事
タイトル: 先端MOSFET技術におけるHiSIM2基板電流モデル
著者・編者: 稲垣亮介
貞近倫夫
Dondee Navarro 他
シリーズタイトル: 第20回回路とシステム軽井沢ワークショップ論文集 ; デバイスモデリング
著者標目: 稲垣亮介
貞近倫夫
Dondee Navarro
並列タイトル等: A substrate-current model for advanced MOSFET technologies implemented into HiSIM2
タイトル（掲載誌）: 回路とシステム軽井沢ワークショップ論文集
巻号年月日等（掲載誌）: 20 2007.4.23・24
掲載巻: 20
掲載ページ: 1～6
掲載年月日（W3CDTF）: 2007-04
出版事項（掲載誌）: [東京] : [電子情報通信学会]
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: jpn
NDLC: ZN33
対象利用者: 一般
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z74-E560
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 9386617
http://id.ndl.go.jp/bib/9386617
整理区分コード: 632