MOCVD法により作成したSi(100)基板上CeO2薄膜の電気特性評価

記事を表すアイコン

MOCVD法により作成したSi(100)基板上CeO2薄膜の電気特性評価

国立国会図書館請求記号
Z15-411
国立国会図書館書誌ID
9424420
資料種別
記事
著者
中村 圭一ほか
出版者
小金井 : 法政大学イオンビーム工学研究所
出版年
2006
資料形態
掲載誌名
法政大学イオンビーム工学研究所報告 (27) 2006年度
掲載ページ
p.20~23
すべて見る

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

  • CiNii Research

    検索サービス
    連携先のサイトで、CiNii Researchが連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

資料種別
記事
著者・編者
中村 圭一
小川 正嗣
須田 正勝 他
タイトル(掲載誌)
法政大学イオンビーム工学研究所報告
巻号年月日等(掲載誌)
(27) 2006年度
掲載号
27
掲載ページ
20~23
掲載年月日(W3CDTF)
2006
ISSN(掲載誌)
0286-0201