法政大学イオンビーム工学研究所報告

• 資料種別: 雑誌
• ISSN: 0286-0201
• ISSN-L: 0286-0201
• タイトル: 法政大学イオンビーム工学研究所報告
• タイトルよみ: ホウセイ ダイガク イオン ビーム コウガク ケンキュウジョ ホウコク
• 巻次・部編番号: (22)-(35):2001年度-2014年度
• 著者標目: 法政大学イオンビーム工学研究所 ホウセイ ダイガク イオン ビーム コウガク ケンキュウジョ ( 01153636 )典拠
• 出版事項: 小金井 : 法政大学イオンビーム工学研究所
• 出版年月日等: 2001-2014
• 出版年（W3CDTF）: 2001-2014
• 刊行巻次・年月次: 1号(1980)-
• 大きさ: 26cm
• 並列タイトル等: Report of Research Center of Ion Beam Technology, Hosei University
• 出版地（国名コード）: JP
• 本文の言語コード: jpn
• NDLC: ZM35
• 一般注記: 本タイトル等は最新号による
• 所蔵機関: 国立国会図書館
• 請求記号: Z15-411
• 関連情報: 付録誌; https://ndlsearch.ndl.go.jp/books/R100000002-I000000144144
• 連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館蔵書; https://ndlsearch.ndl.go.jp
• 書誌ID（NDLBibID）: 000000036034; http://id.ndl.go.jp/bib/000000036034
• 全国書誌番号: 00036496
• 目録規則: 国立国会図書館逐次刊行物目録規則
• 整理区分コード: 131

目次

磁気多層膜と放射線検出器

イオン注入GaN HEMTにおける低周波雑音特性解析

CVD法を使用したSi基板上へのCeO2薄膜堆積時の反応機構

PIXE分析における定量性の検討

ZnOバルク単結晶への窒素イオン注入

フラーレン・ナノウィスカーの結晶構造と分子ダイナミクス

Alイオン注入4H-SiCの電気特性とダイオード特性

熱刺激電流法による水熱合成法成長ZnOバルク単結晶の深い準位に関する研究

低ゲートリーク電流Siイオン注入GaN/AlGaN/GaN HEMTのオン抵抗低減化

MOCVD法により作成したSi(100)基板上CeO2薄膜の電気特性評価

電子線照射ZnOバルク単結晶における永続光伝導 : 二段階光照射による準安定伝導状態の評価

スパッタ法により形成したAl添加CeO₂薄膜の結晶性及び電気特性評価

自己整合型イオン注入GaN MISFETのノーマリーオフ化に関する研究

Fe/Cr多層膜の電気・磁気特性と熱処理効果

PIXE分析法による多摩川河川水の分析

法政大学イオンビーム工学研究所創立25周年記念特集

創立25周年記念講演録 (法政大学イオンビーム工学研究所創立25周年記念特集)

学問創成の府としての大学 (法政大学イオンビーム工学研究所創立25周年記念特集 ; 創立25周年記念講演録)

融合的連携研究プログラム--技術移転の理研モデル (法政大学イオンビーム工学研究所創立25周年記念特集 ; 創立25周年記念講演録)

Diversification from ion beam for semiconductor integration (法政大学イオンビーム工学研究所創立25周年記念特集 ; 創立25周年記念講演録)

イオンビーム工学研究所過去10年の歩み

Alイオン注入ZnOバルク単結晶の低抵抗化の起源 : ラザフォード後方散乱および核反応分析による格子変位の評価

イオン注入4H-SiCにおけるプラズマ処理効果に関する研究

イオン注入4H-SiCバイポーラトランジスタの高性能化に関する研究

H₂O導入MOCVD法によるCeO₂薄膜形成時の堆積メカニズムと電気特性

解説 高周波トランジスタ用メタモルフィック結晶技術

中性子転換注入GaN中の格子変位と転換注入Geからのフォトルミネッセンス

高濃度リンイオン注入SiCの評価

レーザ変位計を用いた結晶分光PIXE用試料位置決め法の提案

6H-SiCへのイオン注入とAlN保護膜の効果

SiCデバイスプロセスに関する研究

4H-SiC(1120)に形成した高濃度イオン注入層の評価

イオン注入とエタンガス熱拡散によるGaNへのCドーピング

メッキ銅配線層の薄膜効果による比抵抗の増加

Si/Ge超格子形成のためのイオンビームスパッタ装置の開発

インクジェットの高性能化と先端応用技術

イオン注入された4H-SiC上へのグラフェン成長と表面のプラズマ前処理による効果

中性子転換注入GaNのキャリア補償機構

Mgイオン注入によるGaNのp型層形成に関する研究

第33回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム

イオン注入GaN系電界効果トランジスタの高性能化

シリコンイオン注入ZnOバルク単結晶のイオンチャネリングによる評価--低抵抗の起源

MOCVD法によるCeO2薄膜形成時の反応機構--水分子(H2O)の影響

GaN及びAlGaNへのSi[+]イオン注入に関する研究

Fe/Si、Fe/FeSi多層膜におけるイオン照射効果

Beイオン注入によるGaN結晶のp型化に関する基礎検討

グラフェンを用いた高抵抗SiC基板へのオーミックコンタクト形成に関する研究

法政大学小金井キャンパス周辺の大気中微小粒子のPIXE分析

ゲルマニウムイオン注入ZnOバルク単結晶のラザフォード後方散乱法による格子欠陥の評価 : 低抵抗化の起源

O₂導入スパッタ法により形成したAl添加CeO₂薄膜の電気特性評価

SiCへのイオン注入

PIXE法による海沢下野原遺跡出土縄文土器胎土の分析(1)

P〔+〕イオン注入(11-20)4H-SiCの特性

CドープGaNの核反応分析:イエロールミネッセンスと格子間炭素との相関について

LSI配線層に用いるスパッタAI薄膜の比抵抗

グラフェンヘの微細加工およびイオンビーム照射によるキャリア散乱への影響

中エネルギーイオン散乱およびラザフォード後方散乱用シミュレーションプログラムの開発

Siイオン注入GaN MISFETの高性能化

水素イオン注入ZnOバルク単結晶のラザフォード後方散乱法と核反応分析による格子欠陥の評価 : 低抵抗化の起源

O₂導入Arスパッタ法により形成したAl添加CeO₂薄膜の特性評価

中エネルギーイオン散乱

バイオタイトによるカドミウムのイオン交換の試み

電子線照射単結晶ZnOの永続光伝導と熱刺激電流

Fe/Si多層膜におけるイオン照射効果

MOCVD法によるCeO2薄膜形成時の反応機構--水分子(H2O)の影響

Si基板内への全固体型リチウムマイクロ2次電池の埋め込みと電池特性

Alイオン注入4H-SiCの評価

n形4H-SiC上に形成した金属シリサイドの評価

結晶分光PIXE分析システムの安定性向上の検討

イオン散乱およびラマン散乱法による中性子転換注入GaN中の格子変位と残留応力について