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Table of Contents
(28) 2007年度
- 磁気多層膜と放射線検出器
p.3～6
- PIXE分析における定量性の検討
p.14～16
- ZnOバルク単結晶への窒素イオン注入
p.17～20
(27) 2006年度
(32):2011年度
- Fe/Cr多層膜の電気・磁気特性と熱処理効果
p.15-17
- PIXE分析法による多摩川河川水の分析
p.18-20
(26) 2005年度
- 法政大学イオンビーム工学研究所創立25周年記念特集
p.3～125
(31):2010年度
- イオンビーム工学研究所過去10年の歩み
p.3-6
(22) 2001年度
- 高濃度リンイオン注入SiCの評価
p.15～18
- 6H-SiCへのイオン注入とAlN保護膜の効果
p.22～25
(23) 2002年度
- SiCデバイスプロセスに関する研究
p.3～16
- イオン注入とエタンガス熱拡散によるGaNへのCドーピング
p.23～26
- メッキ銅配線層の薄膜効果による比抵抗の増加
p.27～29
(35):2014年度
- インクジェットの高性能化と先端応用技術
p.3-7
- 中性子転換注入GaNのキャリア補償機構
p.14-17
- Mgイオン注入によるGaNのp型層形成に関する研究
p.18-20
- 第33回法政大学イオンビーム工学研究所シンポジウム
p.23-28
(30) 2009年度
- イオン注入GaN系電界効果トランジスタの高性能化
p.3～12
- GaN及びAlGaNへのSi[+]イオン注入に関する研究
p.21～23
- Fe/Si、Fe/FeSi多層膜におけるイオン照射効果
p.24～27
(25) 2004年度
- SiCへのイオン注入
p.3～9
- P〔+〕イオン注入(11-20)4H-SiCの特性
p.13～16
- LSI配線層に用いるスパッタAI薄膜の比抵抗
p.21～25
(29) 2008年度
- 中エネルギーイオン散乱
p.1～6
- 電子線照射単結晶ZnOの永続光伝導と熱刺激電流
p.10～13
- Fe/Si多層膜におけるイオン照射効果
p.16～19
(24) 2003年度
- Alイオン注入4H-SiCの評価
p.10～12
- n形4H-SiC上に形成した金属シリサイドの評価
p.13～15
- 結晶分光PIXE分析システムの安定性向上の検討
p.16～19
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Bibliographic Record
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- Material Type
- 雑誌
- ISSN
- 0286-0201
- ISSN-L
- 0286-0201
- Title
- Title Transcription
- ホウセイ ダイガク イオン ビーム コウガク ケンキュウジョ ホウコク
- Volume
- (22)-(35):2001年度-2014年度
- Author Heading
- 法政大学イオンビーム工学研究所 ホウセイ ダイガク イオン ビーム コウガク ケンキュウジョ ( 01153636 )Authorities
- Publication, Distribution, etc.
- Publication Date
- 2001-2014
- Publication Date (W3CDTF)
- 2001-2014