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雑誌電子情報通信学会技術研究報告 : 信学技報
巻号108(87)-108(94) 20080600-20080600
記事p-GaNショットキ...

p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性--キャリア濃度,金属仕事関数依存性 (電子デバイス)

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p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性--キャリア濃度,金属仕事関数依存性

(電子デバイス)

国立国会図書館請求記号
Z16-940
国立国会図書館書誌ID
9573314
資料種別
記事
著者
福島 慶広ほか
出版者
東京 : 電子情報通信学会
出版年
2008-06
資料形態
紙
掲載誌名
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報 108(87) 2008.6.13・14
掲載ページ
p.5～10
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紙

資料種別
記事
タイトル
p-GaNショットキー接触のI-V, C-V特性--キャリア濃度,金属仕事関数依存性
著者・編者
福島 慶広
荻須 啓太
葛原 正明 他
シリーズタイトル
電子デバイス
著者標目
福島 慶広
荻須 啓太
葛原 正明
並列タイトル等
I-V and C-V characteristics of p-GaN Schottky contacts: carrier concentration and metal work function dependences
タイトル（掲載誌）
電子情報通信学会技術研究報告 = IEICE technical report : 信学技報
巻号年月日等（掲載誌）
108(87) 2008.6.13・14
掲載巻
108
掲載号
87