Characteristics of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with HfO2/SiO2/Si and HfO2/SiOxNy/Si stack structures formed by remote plasma technique

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Characteristics of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with HfO2/SiO2/Si and HfO2/SiOxNy/Si stack structures formed by remote plasma technique

国立国会図書館請求記号: Z53-A375
国立国会図書館書誌ID: 9621518

資料種別: 記事

著者: Sanghyun Wooほか

出版者: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics

出版年: 2008-08

資料形態: デジタル

掲載誌名: Japanese journal of applied physics : JJAP 47(8) (1) 2008.8

掲載ページ: p.6196～6199

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デジタル

資料種別: 記事
タイトル: Characteristics of metal-oxide-semiconductor field-effect transistors with HfO2/SiO2/Si and HfO2/SiOxNy/Si stack structures formed by remote plasma technique
著者・編者: Sanghyun Woo
Hyungseok Hong
Seokhoon Kim 他
著者標目: Sanghyun Woo
Hyungseok Hong
Seokhoon Kim
タイトル（掲載誌）: Japanese journal of applied physics : JJAP
巻号年月日等（掲載誌）: 47(8) (1) 2008.8
掲載巻: 47
掲載号: 8
その他巻次: 1
掲載ページ: 6196～6199
掲載年月日（W3CDTF）: 2008-08
ISSN（掲載誌）: 0021-4922
ISSN-L（掲載誌）: 0021-4922
出版事項（掲載誌）: Tokyo : The Japan Society of Applied Physics
出版地（国名コード）: JP
本文の言語コード: eng
件名標目: RPALD
high-k dielectrics
HfO2
interfacial layer
buffer layer
NDLC: ZM35
対象利用者: 一般
コレクション（個別）: 国立国会図書館デジタルコレクション > デジタル化資料 > 雑誌
https://dl.ndl.go.jp/collections/A00002
オンライン閲覧公開範囲: 国立国会図書館内限定公開
デジタル化資料送信: 図書館・個人送信対象
遠隔複写可否（NDL）: 可
所蔵機関: 国立国会図書館
請求記号: Z53-A375
掲載誌（国立国会図書館永続的識別子）: info:ndljp/pid/11226741
https://dl.ndl.go.jp/pid/11226741
連携機関・データベース: 国立国会図書館 : 国立国会図書館雑誌記事索引
https://ndlsearch.ndl.go.jp
書誌ID（NDLBibID）: 9621518
http://id.ndl.go.jp/bib/9621518
整理区分コード: 632