Compact hot-electron induced oxide trapping charge and post-stress drain current modeling for buried-channel p-type metal-oxide-semiconductor field-effect-transistors
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書誌情報
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- Chorng-Jye Sheu
- 著者標目
- タイトル（掲載誌）
- Japanese journal of applied physics : JJAP
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 47(8) (1) 2008.8
- 掲載巻
- 47
- 掲載号
- 8
- その他巻次
- 1
- 掲載ページ
- 6200～6204