記事

New Ordering of the InAs Growth through High-Temperature Treatment of the GaAs(100) Substrates. 42 4B

記事を表すアイコン

New Ordering of the InAs Growth through High-Temperature Treatment of the GaAs(100) Substrates.

資料種別
記事
著者
Saucedo-Zeni Nadiaほか
出版者
-
出版年
2003
資料形態
デジタル
掲載誌名
Japanese Journal of Applied Physics 42 4B
掲載ページ
p.L410-L413
すべて見る

資料詳細

要約等:

We report the effects of the exposure of homoepitaxially grown GaAs buffer layers to high temperature with no As overpressure on the InAs growth front...

全国の図書館の所蔵

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

書誌情報

この資料の詳細や典拠(同じ主題の資料を指すキーワード、著者名)等を確認できます。

デジタル

資料種別
記事
巻次・部編番号
42
4B
著者・編者
Saucedo-Zeni Nadia
Yu Gorbatchev Andrei
Méndez-García Víctor-Hugo
出版年月日等
2003
出版年(W3CDTF)
2003
タイトル(掲載誌)
Japanese Journal of Applied Physics
巻号年月日等(掲載誌)
42 4B
掲載巻
42