New Ordering of the InAs Growth through High-Temperature Treatment of the GaAs(100) Substrates.

• 資料種別: 記事
• タイトル: New Ordering of the InAs Growth through High-Temperature Treatment of the GaAs(100) Substrates.
• 巻次・部編番号: 42; 4B
• 著者・編者: Saucedo-Zeni Nadia; Yu Gorbatchev Andrei; Méndez-García Víctor-Hugo
• 著者標目: Saucedo-Zeni Nadia; Yu Gorbatchev Andrei; Méndez-García Víctor-Hugo
• 出版年月日等: 2003
• 出版年（W3CDTF）: 2003
• タイトル（掲載誌）: Japanese Journal of Applied Physics
• 巻号年月日等（掲載誌）: 42 4B
• 掲載巻: 42
• 掲載号: 4B
• 掲載ページ: L410-L413
• ISSN（掲載誌）: 0021-4922; 1347-4065
• 件名標目: molecular beam epitaxy; surfactant; quantum dots; InAs/GaAs; self-assembled
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.1143/jjap.42.L410
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 科学技術振興機構 : J-STAGE

• 要約等: We report the effects of the exposure of homoepitaxially grown GaAs buffer layers to high temperature with no As overpressure on the InAs growth front...