ショットキーバリアダイオードの特性評価によるGaN基板表面の評価

• 資料種別: 記事
• タイトル: ショットキーバリアダイオードの特性評価によるGaN基板表面の評価
• 巻次・部編番号: 2009A; 0
• 著者・編者: 白沢 佑樹; 佐野 泰久; 村田 順二; 山内 和人
• 著者標目: Shirasawa Yuki; 白沢 佑樹; Sano Yasuhisa; 佐野 泰久; Murata Junji; 村田 順二; Yamauchi Kazuto; 山内 和人
• 出版年月日等: 2009
• 出版年（W3CDTF）: 2009
• 並列タイトル等: Evaluation of GaN Substrate Surface Quality by Characteristics of Schottky Barrier Diode
• タイトル（掲載誌）: 精密工学会学術講演会講演論文集; Proceedings of JSPE Semestrial Meeting
• 巻号年月日等（掲載誌）: 2009A 0
• 掲載巻: 2009A
• 掲載号: 0
• 掲載ページ: 175-176
• 著者別名: Shirasawa Yuki; Sano Yasuhisa; Murata Junji; Yamauchi Kazuto
• 件名標目: electronic characteristics; 電気特性; Schottky Barrier Diode; ショットキーバリアダイオード; surface; 表面; GaN
• 対象利用者: 一般
• DOI: 10.11522/pscjspe.2009A.0.175.0
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 科学技術振興機構 : J-STAGE; http://www.jstage.jst.go.jp

• 要約等: GaN基板表面にショットキーバリアダイオードを作製し，I-V特性およびC-V特性を測定した．異なる基板において差異が見られたため，電気特性測定によってGaN基板面の結晶性を定性的に評価出来ることが分かった．また，市販GaN自立基板の研磨面をエッチングし，同様の評価を行うことで，エッチング量と電気特性...