ICTS/DLTS法によるGaN系HEMTの電流コラプス現象の温度依存性
デジタルデータあり（科学技術振興機構）
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- 資料種別
- 記事
- 著者・編者
- 赤堀 一登大嶽 晃慶中野 颯也久瀬 雷矢山中 公博田口 博久
- 並列タイトル等
- Temperature Dependence of Current Collapse Phenomenon of GaN HEMT by ICTS/DLTS Method
- タイトル（掲載誌）
- マイクロエレクトロニクスシンポジウム論文集
- 巻号年月日等（掲載誌）
- 27:2017.8.29・30
- 掲載巻
- 27
- 掲載ページ
- 331-334
- 掲載年月日（W3CDTF）
- 2017-08