超微細シリコンLSIに用いられる高誘電率薄膜中の欠陥の構造と生成機構の解明

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資料種別: 文書・図像類
タイトル: 超微細シリコンLSIに用いられる高誘電率薄膜中の欠陥の構造と生成機構の解明
著者・編者: Oki, Yoshimichi
大木, 義路
著者標目: Oki, Yoshimichi
大木, 義路
出版年月日等: 2007-04
出版年（W3CDTF）: 2007-04
本文の言語コード: eng
jpn
対象利用者: 一般
一般注記: 16360160 平成16年度～18年度科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書研究代表者大木義路早稲田大学理工学術院教授
記録形式（IMT）: application/pdf
一次資料へのリンクURL: Oki_16360160.pdf
https://waseda.repo.nii.ac.jp/record/20190/files/Oki_16360160.pdf
オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 早稲田大学 : 早稲田大学リポジトリ