超微細シリコンLSIに用いられる高誘電率薄膜中の欠陥の構造と生成機構の解明

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Note (General)：: 16360160 平成16年度～18年度科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書研究代表者大木義路早稲田大学理工学術院教授

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Material Type: 文書・図像類
Title: 超微細シリコンLSIに用いられる高誘電率薄膜中の欠陥の構造と生成機構の解明
Author/Editor: Oki, Yoshimichi
大木, 義路
Author Heading: Oki, Yoshimichi
大木, 義路
Publication Date: 2007-04
Publication Date (W3CDTF): 2007-04
Text Language Code: eng
jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 16360160 平成16年度～18年度科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書研究代表者大木義路早稲田大学理工学術院教授
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 早稲田大学 : 早稲田大学リポジトリ