文書・図像類

Tree-Like Features Formed on Photoelectrochemically etched n-GaN surfaces ―Revelation of threading dislocations in GaN―

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Tree-Like Features Formed on Photoelectrochemically etched n-GaN surfaces ―Revelation of threading dislocations in GaN―

資料種別
文書・図像類
著者
YAMAMOTO, Akioほか
出版者
The Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2000-11-30
資料形態
デジタル
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

Electrochemical etching behavior of n-type GaN films grown on sapphire has been studied under UV (λ=325 nm) light illumination. As the cases for photo...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
文書・図像類
著者・編者
YAMAMOTO, Akio
AZUMA, Katsuhiko
YASUDA, Tomomi
HASHIMOTO, Akihiro
出版年月日等
2000-11-30
出版年(W3CDTF)
2000-11-30
タイトル(掲載誌)
Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
掲載ページ
778-781
本文の言語コード
eng