文書・図像類

Growth Rate and Its Limiting Process for Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InN

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Growth Rate and Its Limiting Process for Metalorganic Vapor Phase Epitaxial InN

資料種別
文書・図像類
著者
ADACHI, Masatoほか
出版者
The Institute of Pure and Applied Physics
出版年
2000-11-30
資料形態
デジタル
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

Growth rate as a function of growth temperature has been studied for MOVPE InN. In the temperature range of 500-600℃, growth rate is increased with in...

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書誌情報

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デジタル

資料種別
文書・図像類
著者・編者
ADACHI, Masato
MURAKAMI, Yasuyuki
HASHIMOTO, Akihiro
YAMAMOTO, Akio
出版年月日等
2000-11-30
出版年(W3CDTF)
2000-11-30
タイトル(掲載誌)
Proceedings of International Workshop on Nitride Semiconductors
掲載ページ
339-342
本文の言語コード
eng