低炭素革命を推進する窒化物半導体エコデバイスの研究開発

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 低炭素革命を推進する窒化物半導体エコデバイスの研究開発
• 著者・編者: 葛原, 正明; 山本, 暠勇; 福井, 一俊; 勝山, 俊夫; 杉本, 英彦; 橋本, 明弘; 塩島, 謙次; 山本, 晃司
• 著者標目: 葛原, 正明; 山本, 暠勇; 福井, 一俊; 勝山, 俊夫; 杉本, 英彦; 橋本, 明弘; 塩島, 謙次; 山本, 晃司
• 出版年月日等: 2011-05-31
• 出版年（W3CDTF）: 2011-05-31
• タイトル（掲載誌）: 福井大学 重点研究成果集2011 ー明日への挑戦ー
• 掲載ページ: 8-9
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 窒化物半導体; 太陽電池; タンデム; トランジスタ; HEMT; 電力変換
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: GaN, InN, AlN を代表とするIII族窒化物半導体は、0.7～6.2eV の範囲で禁制帯幅を 変化でき、高速性と高耐圧性に加えて高温動作に優れた半導体として知られる。本学では、窒化物半導 体を用いた太陽電池(タンデム型)と電力変換用電子デバイスの研究開発の推進を通して、世界から注 目される研究拠点の構築を目指している。 今年度は、触媒援用MOCVD 法によりInN エピ層の品質改善に成功した。成長温度550℃において電子 移動度1340cm2/Vs の良好な結果を得た。また、全In 組成範囲で相分離やIn 析出のないInGaN の成長を 確認し、In 析出のないInAlN/InGaN へテロ接合の成長に成功した。また、トランジスタ開発では、基板 の結晶欠陥とゲート漏れ電流の相関を確認するとともに、自立AlN 基板上AlGaN チャネルHEMT を開発 し、300ºC でも電流劣化率が室温比20%以内の高温対応トランジスタの開発に成功した。; 福井大学平成22年度重点研究「プロジェクト研究支援経費」
• 一次資料へのリンクURL: https://u-fukui.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=23158&item_no=1&attribute_id=22&file_no=1
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 福井大学 : 福井大学学術機関リポジトリ