文書・図像類

低炭素革命を推進する窒化物半導体エコデバイスの研究開発

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低炭素革命を推進する窒化物半導体エコデバイスの研究開発

Material type
文書・図像類
Author
葛原, 正明ほか
Publisher
-
Publication date
2011-05-31
Material Format
Digital
Capacity, size, etc.
-
NDC
-
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Notes on use

Note (General):

GaN, InN, AlN を代表とするIII族窒化物半導体は、0.7~6.2eV の範囲で禁制帯幅を 変化でき、高速性と高耐圧性に加えて高温動作に優れた半導体として知られる。本学では、窒化物半導 体を用いた太陽電池(タンデム型)と電力変換用電子デバイスの研究開発の推進を通して、世界から注 目される...

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Digital

Material Type
文書・図像類
Author/Editor
葛原, 正明
山本, 暠勇
福井, 一俊
勝山, 俊夫
杉本, 英彦
橋本, 明弘
塩島, 謙次
山本, 晃司
Publication Date
2011-05-31
Publication Date (W3CDTF)
2011-05-31
Periodical title
福井大学 重点研究成果集2011 ー明日への挑戦ー
Pages
8-9
Text Language Code
jpn