低炭素革命を推進する窒化物半導体エコデバイスの研究開発

Material type: 文書・図像類

Author: 葛原, 正明ほか

Publisher: -

Publication date: 2011-05-31

Material Format: Digital

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NDC: -

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Note (General)：: GaN, InN, AlN を代表とするIII族窒化物半導体は、0.7～6.2eV の範囲で禁制帯幅を変化でき、高速性と高耐圧性に加えて高温動作に優れた半導体として知られる。本学では、窒化物半導体を用いた太陽電池(タンデム型)と電力変換用電子デバイスの研究開発の推進を通して、世界から注目される...

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Digital

Material Type: 文書・図像類
Title: 低炭素革命を推進する窒化物半導体エコデバイスの研究開発
Author/Editor: 葛原, 正明
山本, 暠勇
福井, 一俊
勝山, 俊夫
杉本, 英彦
橋本, 明弘
塩島, 謙次
山本, 晃司
Author Heading: 葛原, 正明
山本, 暠勇
福井, 一俊
勝山, 俊夫
杉本, 英彦
橋本, 明弘
塩島, 謙次
山本, 晃司
Publication Date: 2011-05-31
Publication Date (W3CDTF): 2011-05-31
Periodical title: 福井大学重点研究成果集2011 ー明日への挑戦ー
Pages: 8-9
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 窒化物半導体
太陽電池
タンデム
トランジスタ
HEMT
電力変換
Target Audience: 一般
Note (General): GaN, InN, AlN を代表とするIII族窒化物半導体は、0.7～6.2eV の範囲で禁制帯幅を変化でき、高速性と高耐圧性に加えて高温動作に優れた半導体として知られる。本学では、窒化物半導体を用いた太陽電池(タンデム型)と電力変換用電子デバイスの研究開発の推進を通して、世界から注目される研究拠点の構築を目指している。今年度は、触媒援用MOCVD 法によりInN エピ層の品質改善に成功した。成長温度550℃において電子移動度1340cm2/Vs の良好な結果を得た。また、全In 組成範囲で相分離やIn 析出のないInGaN の成長を確認し、In 析出のないInAlN/InGaN へテロ接合の成長に成功した。また、トランジスタ開発では、基板の結晶欠陥とゲート漏れ電流の相関を確認するとともに、自立AlN 基板上AlGaN チャネルHEMT を開発し、300ºC でも電流劣化率が室温比20%以内の高温対応トランジスタの開発に成功した。
福井大学平成22年度重点研究「プロジェクト研究支援経費」
Source: https://u-fukui.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=23158&item_no=1&attribute_id=22&file_no=1
https://u-fukui.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=23158&item_no=1&attribute_id=22&file_no=1
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 福井大学 : 福井大学学術機関リポジトリ