A new photocatalyzer InNxOy film grown by ArF excimer laser-induced MOCVD at low temperature (RT〓200 °C)

資料種別: 文書・図像類

著者: YAMAMOTO, Aほか

出版者: Elsevier

出版年: 2007-01

資料形態: デジタル

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資料に関する注記

一般注記：: Using the ArF excimer laser-induced MOCVD method, InN_xO_y thin films are grown on a glass substrate. The photolytical decomposition of NH_3enables to...

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デジタル

資料種別: 文書・図像類
タイトル: A new photocatalyzer InNxOy film grown by ArF excimer laser-induced MOCVD at low temperature (RT〓200 °C)
著者・編者: YAMAMOTO, A
MIYANISHI, M
KUNISHIGE, T
KOBAYASHI, T
HASHIMOTO, A
NAMBO, Y
著者標目: YAMAMOTO, A
MIYANISHI, M
KUNISHIGE, T
KOBAYASHI, T
HASHIMOTO, A
NAMBO, Y
出版事項: Elsevier
出版年月日等: 2007-01
出版年（W3CDTF）: 2007-01
タイトル（掲載誌）: Journal of crystal growth
巻号年月日等（掲載誌）: 298
掲載巻: 298
掲載ページ: 390-393
本文の言語コード: eng
件名標目: A3. Metalorganic chemical vapor deposition
B1. Nitrides
B2. Semiconducting indium compounds
対象利用者: 一般
一般注記: Using the ArF excimer laser-induced MOCVD method, InN_xO_y thin films are grown on a glass substrate. The photolytical decomposition of NH_3enables to grow them even at room temperature. It is found that the InN_xO_y thin films grown at a temperature less than 250 °C show an excellent photocatalytic decomposition of H_2S under UV irradiation, while the activity of the films grown at a temperature higher than 300 °C is very small, less than 1/4 of that for the low-temperature films. The excellent photocatalytic activity for the low-temperature films is closely related to the amorphous phase of the films.
一次資料へのリンクURL: https://u-fukui.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=22186&item_no=1&attribute_id=22&file_no=1
https://u-fukui.repo.nii.ac.jp/?action=repository_action_common_download&item_id=22186&item_no=1&attribute_id=22&file_no=1
オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
関連情報（DOI）: 10.172
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 福井大学 : 福井大学学術機関リポジトリ