歪制御技術を適用した横型Si/Ge/Siヘテロ接合発受光素子

• 資料種別: 博士論文
• タイトル: 歪制御技術を適用した横型Si/Ge/Siヘテロ接合発受光素子
• 著者・編者: 谷, 和樹
• 著者標目: 谷, 和樹
• 出版年月日等: 2022-03-03
• 出版年（W3CDTF）: 2022-03-03
• 授与機関名: 東京大学
• 授与年月日: 2022-03-03
• 報告番号: 乙第18756号
• 学位: 博士(工学)
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 審査委員会委員 : （主査）東京大学教授 霜垣 幸浩, 東京大学教授 近藤 高志, 東京大学教授 中野 義昭, 東京大学教授 竹中 充, 東京大学准教授 喜多 浩之, 豊橋技術科学大学教授 石川 靖彦
• DOI: 10.15083/0002008342
• 記録形式（IMT）: application/pdf
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 東京大学 : 東京大学学術機関リポジトリ

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