歪制御技術を適用した横型Si/Ge/Siヘテロ接合発受光素子

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Note (General)：: 審査委員会委員 : （主査）東京大学教授霜垣幸浩, 東京大学教授近藤高志, 東京大学教授中野義昭, 東京大学教授竹中充, 東京大学准教授喜多浩之, 豊橋技術科学大学教授石川靖彦

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Material Type: 博士論文
Title: 歪制御技術を適用した横型Si/Ge/Siヘテロ接合発受光素子
Author/Editor: 谷, 和樹
Author Heading: 谷, 和樹
Publication Date: 2022-03-03
Publication Date (W3CDTF): 2022-03-03
Degree grantor/type: 東京大学
Date Granted: 2022-03-03
Dissertation Number: 乙第18756号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 審査委員会委員 : （主査）東京大学教授霜垣幸浩, 東京大学教授近藤高志, 東京大学教授中野義昭, 東京大学教授竹中充, 東京大学准教授喜多浩之, 豊橋技術科学大学教授石川靖彦
DOI: 10.15083/0002008342
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 東京大学 : 東京大学学術機関リポジトリ