放射光その場X線回折によるInGaAs/InAs/GaAs(111)A界面のリアルタイム構造解析

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 放射光その場X線回折によるInGaAs/InAs/GaAs(111)A界面のリアルタイム構造解析
• 著者・編者: 佐々木, 拓生; 高橋, 正光; 佐々木 拓生; 高橋 正光
• 著者標目: 佐々木, 拓生; 高橋, 正光; 佐々木 拓生; 高橋 正光
• 出版年月日等: 2017-03-15
• 出版年（W3CDTF）: 2017-03-15
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 応用物理学会春季学術講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: III-V族混晶半導体であるInGaAsはInとGaの組成比によって、バンドギャップエネルギーを幅広く制御できる特徴があり、多接合型太陽電池のサブセル材料として注目されている。太陽電池として使用するには、一般的に貫通転位密度が10^5 /cm^2以下のひずみ緩和した膜が理想である。GaAs(111)...