放射光その場X線回折によるInGaAs/InAs/GaAs(111)A界面のリアルタイム構造解析

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Summary, etc.：: III-V族混晶半導体であるInGaAsはInとGaの組成比によって、バンドギャップエネルギーを幅広く制御できる特徴があり、多接合型太陽電池のサブセル材料として注目されている。太陽電池として使用するには、一般的に貫通転位密度が10^5 /cm^2以下のひずみ緩和した膜が理想である。GaAs(111)...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 放射光その場X線回折によるInGaAs/InAs/GaAs(111)A界面のリアルタイム構造解析
Author/Editor: 佐々木, 拓生
高橋, 正光
佐々木拓生
高橋正光
Author Heading: 佐々木, 拓生
高橋, 正光
佐々木拓生
高橋正光
Publication Date: 2017-03-15
Publication Date (W3CDTF): 2017-03-15
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 応用物理学会春季学術講演会
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ