Si(110)表面加熱時の16×2シングルドメイン・ダブルドメイン構造形成への影響

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Si(110)表面加熱時の16×2シングルドメイン・ダブルドメイン構造形成への影響
• 著者・編者: 鈴木, 翔太; 矢野, 雅大; 魚住, 雄輝; 朝岡, 秀人; 山口, 憲司; 山口 憲司
• 著者標目: 鈴木, 翔太; 矢野, 雅大; 魚住, 雄輝; 朝岡, 秀人; 山口, 憲司; 山口 憲司
• 出版年月日等: 2016-11-25
• 出版年（W3CDTF）: 2016-11-25
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 日本化学会関東支部 第27回茨城地区研究交流会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: Si(110)表面再構成構造は16×2ダブルドメイン構造と呼ばれる極めて不規則な構造であることが知られているが、近年、外部電場による表面原子拡散(エレクトロマイグレーション)を起こし、この不規則な再構成列を単一方向に制御したSi(110)16×2シングルドメイン構造の作製が報告されている。しかし、そ...