Si(110)表面加熱時の16×2シングルドメイン・ダブルドメイン構造形成への影響

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Summary, etc.：: Si(110)表面再構成構造は16×2ダブルドメイン構造と呼ばれる極めて不規則な構造であることが知られているが、近年、外部電場による表面原子拡散(エレクトロマイグレーション)を起こし、この不規則な再構成列を単一方向に制御したSi(110)16×2シングルドメイン構造の作製が報告されている。しかし、そ...

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Material Type: 文書・図像類
Title: Si(110)表面加熱時の16×2シングルドメイン・ダブルドメイン構造形成への影響
Author/Editor: 鈴木, 翔太
矢野, 雅大
魚住, 雄輝
朝岡, 秀人
山口, 憲司
山口憲司
Author Heading: 鈴木, 翔太
矢野, 雅大
魚住, 雄輝
朝岡, 秀人
山口, 憲司
山口憲司
Publication Date: 2016-11-25
Publication Date (W3CDTF): 2016-11-25
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 日本化学会関東支部第27回茨城地区研究交流会
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ