イオン照射によるヘテロ構造SiCナノチューブと新奇構造カーボンナノチューブの創製

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: イオン照射によるヘテロ構造SiCナノチューブと新奇構造カーボンナノチューブの創製
• 著者・編者: 田口, 富嗣; 山本, 春也; 大場, 弘則; 田口 富嗣; 山本 春也; 大場 弘則
• 著者標目: 田口, 富嗣; 山本, 春也; 大場, 弘則; 田口 富嗣; 山本 春也; 大場 弘則
• 出版年月日等: 2017-05-31
• 出版年（W3CDTF）: 2017-05-31
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第73回日本顕微鏡学会学術講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: 炭化ケイ素（SiC）は、最も重要なワイドバンドギャップ半導体材料の一つである。一方で、ナノチューブはその特異な形状のため、バルク材料とは異なる諸特性を持つ可能性があることが報告されている。これまでに我々は、多結晶SiCナノチューブ、及びC-SiC同軸ナノチューブの創製に成功している。しかしながら、異...