イオン照射によるヘテロ構造SiCナノチューブと新奇構造カーボンナノチューブの創製

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Summary, etc.：: 炭化ケイ素（SiC）は、最も重要なワイドバンドギャップ半導体材料の一つである。一方で、ナノチューブはその特異な形状のため、バルク材料とは異なる諸特性を持つ可能性があることが報告されている。これまでに我々は、多結晶SiCナノチューブ、及びC-SiC同軸ナノチューブの創製に成功している。しかしながら、異...

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Material Type: 文書・図像類
Title: イオン照射によるヘテロ構造SiCナノチューブと新奇構造カーボンナノチューブの創製
Author/Editor: 田口, 富嗣
山本, 春也
大場, 弘則
田口富嗣
山本春也
大場弘則
Author Heading: 田口, 富嗣
山本, 春也
大場, 弘則
田口富嗣
山本春也
大場弘則
Publication Date: 2017-05-31
Publication Date (W3CDTF): 2017-05-31
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 第73回日本顕微鏡学会学術講演会
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ