4H-SiC 横型JFET の試作と特性の評価

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 4H-SiC 横型JFET の試作と特性の評価
• 著者・編者: 清水, 奎吾; 田中, 保宣; 黒木, 伸一郎; 牧野, 高紘; 武山, 昭憲; 大島, 武; 牧野 高紘; 武山 昭憲; 大島 武
• 著者標目: 清水, 奎吾; 田中, 保宣; 黒木, 伸一郎; 牧野, 高紘; 武山, 昭憲; 大島, 武; 牧野 高紘; 武山 昭憲; 大島 武
• 出版年月日等: 2017-11-01
• 出版年（W3CDTF）: 2017-11-01
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 先進パワー半導体分科会 第 4 回講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: SiCはパワーデバイスとしてだけではなく、放射線環境のような極限環境においても安定して動作する半導体材料として期待されている。本研究では、燃料デブリ取り出し作業など高線量環境下において動作するイメージセンサ開発のため、特に放射線による特性劣化の影響を受けにくい接合型トランジスタ（JFET）を作製し、...