4H-SiC 横型JFET の試作と特性の評価

• Material Type: 文書・図像類
• Title: 4H-SiC 横型JFET の試作と特性の評価
• Author/Editor: 清水, 奎吾; 田中, 保宣; 黒木, 伸一郎; 牧野, 高紘; 武山, 昭憲; 大島, 武; 牧野 高紘; 武山 昭憲; 大島 武
• Author Heading: 清水, 奎吾; 田中, 保宣; 黒木, 伸一郎; 牧野, 高紘; 武山, 昭憲; 大島, 武; 牧野 高紘; 武山 昭憲; 大島 武
• Publication Date: 2017-11-01
• Publication Date (W3CDTF): 2017-11-01
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 先進パワー半導体分科会 第 4 回講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: SiCはパワーデバイスとしてだけではなく、放射線環境のような極限環境においても安定して動作する半導体材料として期待されている。本研究では、燃料デブリ取り出し作業など高線量環境下において動作するイメージセンサ開発のため、特に放射線による特性劣化の影響を受けにくい接合型トランジスタ（JFET）を作製し、...