SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性
• 著者・編者: 常見, 大貴; 佐藤, 真一郎; 山崎, 雄一; 牧野, 高紘; 土方, 泰斗; 大島, 武; 常見 大貴; 佐藤 真一郎; 山崎 雄一; 牧野 高紘; 大島 武
• 著者標目: 常見, 大貴; 佐藤, 真一郎; 山崎, 雄一; 牧野, 高紘; 土方, 泰斗; 大島, 武; 常見 大貴; 佐藤 真一郎; 山崎 雄一; 牧野 高紘; 大島 武
• 出版年月日等: 2018-11-07
• 出版年（W3CDTF）: 2018-11-07
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 先進パワー半導体分科会第5回講演会参加の為
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: これまでに、熱酸化によってSiC表面近傍に形成される単一光子源（表面SPS）を発見している。しかし、その構造は未同定であり、且つ、SPSの発光波長ピークに分布がある原因が明らかとなっていない。我々は、この発光波長変動はSPSの局所構造の違いであると推察しており、本研究では酸化膜時間（酸化膜厚）や酸化...