SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性

• Material Type: 文書・図像類
• Title: SiC表面に形成される単一光子源の酸化膜厚依存性
• Author/Editor: 常見, 大貴; 佐藤, 真一郎; 山崎, 雄一; 牧野, 高紘; 土方, 泰斗; 大島, 武; 常見 大貴; 佐藤 真一郎; 山崎 雄一; 牧野 高紘; 大島 武
• Author Heading: 常見, 大貴; 佐藤, 真一郎; 山崎, 雄一; 牧野, 高紘; 土方, 泰斗; 大島, 武; 常見 大貴; 佐藤 真一郎; 山崎 雄一; 牧野 高紘; 大島 武
• Publication Date: 2018-11-07
• Publication Date (W3CDTF): 2018-11-07
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 先進パワー半導体分科会第5回講演会参加の為
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: これまでに、熱酸化によってSiC表面近傍に形成される単一光子源（表面SPS）を発見している。しかし、その構造は未同定であり、且つ、SPSの発光波長ピークに分布がある原因が明らかとなっていない。我々は、この発光波長変動はSPSの局所構造の違いであると推察しており、本研究では酸化膜時間（酸化膜厚）や酸化...