Reflections on the State of Ultra-Wide-Bandgap Ga2O3 MOSFETs

• 資料種別: その他
• タイトル: Reflections on the State of Ultra-Wide-Bandgap Ga2O3 MOSFETs
• 著者・編者: Hoi, Wong Man; Nakata, Yoshiaki; Lin, Chia-Hung; Sasaki, Kohei; Morikawa, Yoji; Goto, Ken; Takeyama, Akinori; Makino, Takahiro; Ohshima, Takeshi; Kuramata, Akito; Yamakoshi, Shigenobu; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Higashiwaki, Masataka; 武山 昭憲; 牧野 高紘; 大島 武
• 著者標目: Hoi, Wong Man; Nakata, Yoshiaki; Lin, Chia-Hung; Sasaki, Kohei; Morikawa, Yoji; Goto, Ken; Takeyama, Akinori; Makino, Takahiro; Ohshima, Takeshi; Kuramata, Akito; Yamakoshi, Shigenobu; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao; Higashiwaki, Masataka; 武山 昭憲; 牧野 高紘; 大島 武
• 出版年月日等: 2018-06-12
• 出版年（W3CDTF）: 2018
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 20th Workshop on Dielectrics in Microelectronics
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: Gallium oxide (Ga2O3) is an emerging ultra-wide-bandgap (4.5–4.9 eV) semiconductor for high power and high voltage electronics with potential applicat...