Advances in Ga2O3 MOSFETs for power switching and beyond

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Advances in Ga2O3 MOSFETs for power switching and beyond
• 著者・編者: Higashiwaki, Masataka; Hoi Wong, Man; Kamimura, Takafumi; Nakata, Yoshiaki; Chia-Hung, Lin; Takeyama, Akinori; Makino, Takahiro; Ohshima, Takeshi; Singh, Manikant; Pomeroy, James; Uren, Michael; Casbon, Michael; Tasker, Paul; Goto, Ken; Sasaki, Kohei; Kuramata, Akito; Yamakoshi, Shigenobu; Kuball, Martin; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao
• 著者標目: Higashiwaki, Masataka; Hoi Wong, Man; Kamimura, Takafumi; Nakata, Yoshiaki; Chia-Hung, Lin; Takeyama, Akinori; Makino, Takahiro; Ohshima, Takeshi; Singh, Manikant; Pomeroy, James; Uren, Michael; Casbon, Michael; Tasker, Paul; Goto, Ken; Sasaki, Kohei; Kuramata, Akito; Yamakoshi, Shigenobu; Kuball, Martin; Murakami, Hisashi; Kumagai, Yoshinao
• 出版年月日等: 2018-11-26
• 出版年（W3CDTF）: 2018-11-26
• 本文の言語コード: eng
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: MRS Fall Meeting & Exhibit
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: Ga2O3 has emerged as a noteworthy ultrawide bandgap semiconductor in the past five years. Owing to excellent material properties based on an extremely...