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その他

Analysis of dissolution of partially aggregated resist particles due to stochastic effect of exposure using DLA model

Analysis of dissolution of partially aggregated resist particles due to stochastic effect of exposure using DLA model

資料種別
その他
著者
佐々木, 明ほか
出版者
-
出版年
2019-09-16
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

SPIE photomask technology + EUV lithography

資料詳細

要約等:

Exposure and development processes of EUV resists are investigated using numerical model and simulation. Diffusion limited aggregation (DLA) and perco...

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書誌情報

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資料種別
その他
著者・編者
佐々木, 明
Sasaki, Akira
出版年月日等
2019-09-16
出版年(W3CDTF)
2019
対象利用者
一般
一般注記
SPIE photomask technology + EUV lithography
連携機関・データベース
国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)
提供元機関・データベース
国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ