超高圧電子顕微鏡による化合物半導体デバイスの解析

• 資料種別: その他
• タイトル: 超高圧電子顕微鏡による化合物半導体デバイスの解析
• 著者・編者: 井上, 晃一; 佐々木, 肇; 日坂, 隆行; 門岩, 薫; 小野田, 忍; 大島, 武; 田口, 英次; 保田, 英洋; 森, 博太郎; Onoda, Shinobu; Ohshima, Takeshi
• 著者標目: 井上, 晃一; 佐々木, 肇; 日坂, 隆行; 門岩, 薫; 小野田, 忍; 大島, 武; 田口, 英次; 保田, 英洋; 森, 博太郎; Onoda, Shinobu; Ohshima, Takeshi
• 出版年月日等: 2019-10-31
• 出版年（W3CDTF）: 2019
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 第6回 電子デバイスフォーラム
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: AlGaN/GaN HEMTに重粒子および電子線を照射し、超高圧電子顕微鏡を用いてその照射効果を観察した結果について述べる。照射での変位損傷によるデバイス特性変動から宇宙用途として充分な対放射線性を有していることを示す。（提供元: 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ））