超高圧電子顕微鏡による化合物半導体デバイスの解析

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Summary, etc.：: AlGaN/GaN HEMTに重粒子および電子線を照射し、超高圧電子顕微鏡を用いてその照射効果を観察した結果について述べる。照射での変位損傷によるデバイス特性変動から宇宙用途として充分な対放射線性を有していることを示す。(Provided by: 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポ...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 超高圧電子顕微鏡による化合物半導体デバイスの解析
Author/Editor: 井上, 晃一
佐々木, 肇
日坂, 隆行
門岩, 薫
小野田, 忍
大島, 武
田口, 英次
保田, 英洋
森, 博太郎
Onoda, Shinobu
Ohshima, Takeshi
Author Heading: 井上, 晃一
佐々木, 肇
日坂, 隆行
門岩, 薫
小野田, 忍
大島, 武
田口, 英次
保田, 英洋
森, 博太郎
Onoda, Shinobu
Ohshima, Takeshi
Publication Date: 2019-10-31
Publication Date (W3CDTF): 2019-10-31
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 第6回　電子デバイスフォーラム
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ