文書・図像類

デバイス構造が4H-SiC JFETのMGyガンマ線耐性に及ぼす影響

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デバイス構造が4H-SiC JFETのMGyガンマ線耐性に及ぼす影響

資料種別
文書・図像類
著者
武山, 昭憲ほか
出版者
-
出版年
2020-12-09
資料形態
ページ数・大きさ等
-
NDC
-
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資料に関する注記

一般注記:

先進パワー半導体分科会 第7回講演会

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書誌情報

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資料種別
文書・図像類
著者・編者
武山, 昭憲
清水, 奎吾
牧野, 高紘
山崎, 雄一
大島, 武
黒木, 伸一郎
田中, 保宣
Akinori, Takeyama
Takahiro, Makino
Yuichi, Yamazaki
Takeshi, Ohshima
出版年月日等
2020-12-09
出版年(W3CDTF)
2020-12-09
本文の言語コード
jpn
対象利用者
一般
一般注記
先進パワー半導体分科会 第7回講演会
連携機関・データベース
国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース(IRDB)(機関リポジトリ)