デバイス構造が4H-SiC JFETのMGyガンマ線耐性に及ぼす影響

• Material Type: 文書・図像類
• Title: デバイス構造が4H-SiC JFETのMGyガンマ線耐性に及ぼす影響
• Author/Editor: 武山, 昭憲; 清水, 奎吾; 牧野, 高紘; 山崎, 雄一; 大島, 武; 黒木, 伸一郎; 田中, 保宣; Akinori, Takeyama; Takahiro, Makino; Yuichi, Yamazaki; Takeshi, Ohshima
• Author Heading: 武山, 昭憲; 清水, 奎吾; 牧野, 高紘; 山崎, 雄一; 大島, 武; 黒木, 伸一郎; 田中, 保宣; Akinori, Takeyama; Takahiro, Makino; Yuichi, Yamazaki; Takeshi, Ohshima
• Publication Date: 2020-12-09
• Publication Date (W3CDTF): 2020-12-09
• Text Language Code: jpn
• Target Audience: 一般
• Note (General): 先進パワー半導体分科会 第7回講演会
• Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• Summary, etc.: 炭化ケイ素接合型電解効果トランジスタ (SiC JFET) は、金属-酸化膜-半導体 電解効果トランジスタ(MOSFET)のようなゲート酸化膜を持たず、ガンマ線照射の影響を受けにくい耐放射線性デバイスとして期待されている。そこでSiC JFETのデバイス構造が、ガンマ線耐性に及ぼす影響を調べた。9M...