Characteristic Charge Collection Mechanism Observed in FinFET SRAM cells

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: Characteristic Charge Collection Mechanism Observed in FinFET SRAM cells
• 著者・編者: Takeuchi, Kozo; Sakamoto, Keita; Yukumatsu, Kazuki; Watanabe, Kyota; Tsuchiya, Yuta; Kato, Takashi; Matsuyama, Hideya; Akinori, Takeyama; Takeshi, Ohshima; Kuboyama, Satoshi; Shindo, Hiroyuki
• 著者標目: Takeuchi, Kozo; Sakamoto, Keita; Yukumatsu, Kazuki; Watanabe, Kyota; Tsuchiya, Yuta; Kato, Takashi; Matsuyama, Hideya; Akinori, Takeyama; Takeshi, Ohshima; Kuboyama, Satoshi; Shindo, Hiroyuki
• 出版年月日等: 2020-10-19
• 出版年（W3CDTF）: 2020-10-19
• 本文の言語コード: eng
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: Radiation Effects on Components and Systems (RADECS2020)
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: Characteristics of single event effects on 14/16-nm bulk FinFETs and static random access memories (SRAM) composed of them were investigated in terms ...