シリコン空孔量子センサーによるSiCデバイス内電流誘起磁場の測定

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: シリコン空孔量子センサーによるSiCデバイス内電流誘起磁場の測定
• 著者・編者: 山崎, 雄一; 増山, 雄太; 佐藤, 真一郎; 牧野, 高紘; 山田, 尚人; 佐藤, 隆博; 児島, 一聡; 土田, 秀一; 星乃, 紀博; 大島, 武; Yuichi, Yamazaki; Yuta, Masuyama; Shinichiro, Sato; Takahiro, Makino; Naoto, Yamada; Takahiro, Satoh; Takeshi, Ohshima
• 著者標目: 山崎, 雄一; 増山, 雄太; 佐藤, 真一郎; 牧野, 高紘; 山田, 尚人; 佐藤, 隆博; 児島, 一聡; 土田, 秀一; 星乃, 紀博; 大島, 武; Yuichi, Yamazaki; Yuta, Masuyama; Shinichiro, Sato; Takahiro, Makino; Naoto, Yamada; Takahiro, Satoh; Takeshi, Ohshima
• 出版年月日等: 2021-09-12
• 出版年（W3CDTF）: 2021-09-12
• 本文の言語コード: jpn
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 応用物理学会秋季学術講演会
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構 学術機関リポジトリ

• 要約等: SiCデバイス中に作製したシリコン空孔量子センサーを用いて電流誘起磁場を直接測定した（提供元: 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ））