シリコン空孔量子センサーによるSiCデバイス内電流誘起磁場の測定

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Summary, etc.：: SiCデバイス中に作製したシリコン空孔量子センサーを用いて電流誘起磁場を直接測定した(Provided by: 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）)

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Material Type: 文書・図像類
Title: シリコン空孔量子センサーによるSiCデバイス内電流誘起磁場の測定
Author/Editor: 山崎, 雄一
増山, 雄太
佐藤, 真一郎
牧野, 高紘
山田, 尚人
佐藤, 隆博
児島, 一聡
土田, 秀一
星乃, 紀博
大島, 武
Yuichi, Yamazaki
Yuta, Masuyama
Shinichiro, Sato
Takahiro, Makino
Naoto, Yamada
Takahiro, Satoh
Takeshi, Ohshima
Author Heading: 山崎, 雄一
増山, 雄太
佐藤, 真一郎
牧野, 高紘
山田, 尚人
佐藤, 隆博
児島, 一聡
土田, 秀一
星乃, 紀博
大島, 武
Yuichi, Yamazaki
Yuta, Masuyama
Shinichiro, Sato
Takahiro, Makino
Naoto, Yamada
Takahiro, Satoh
Takeshi, Ohshima
Publication Date: 2021-09-12
Publication Date (W3CDTF): 2021-09-12
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Note (General): 応用物理学会秋季学術講演会
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 国立研究開発法人量子科学技術研究開発機構 : 量子科学技術研究開発機構学術機関リポジトリ