半導体フォトカソードの高量子効率化、高耐久化による電子ビーム技術の刷新

書店で探す

国立国会図書館以外の全国の図書館の所蔵状況を表示します。

所蔵のある図書館から取寄せることが可能かなど、資料の利用方法は、ご自身が利用されるお近くの図書館へご相談ください

その他

名古屋大学学術機関リポジトリ
デジタル
連携先のサイトで、学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）が連携している機関・データベースの所蔵状況を確認できます。
名古屋大学学術機関リポジトリのサイトでこの本を確認

この資料の詳細や典拠（同じ主題の資料を指すキーワード、著者名）等を確認できます。

資料種別: 博士論文
タイトル: 半導体フォトカソードの高量子効率化、高耐久化による電子ビーム技術の刷新
著者・編者: 佐藤, 大樹
著者標目: 佐藤, 大樹
出版年月日等: 2020-09-28
出版年（W3CDTF）: 2020-09-28
並列タイトル等: Innovation of Electron Beam Source by Semiconductor Photocathode with High Quantum Efficiency and High Durability
授与機関名: 名古屋大学
授与年月日: 2020-09-28
報告番号: 甲第13306号
学位: 博士(工学)
本文の言語コード: jpn
対象利用者: 一般
記録形式（IMT）: application/pdf
オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
提供元機関・データベース: 名古屋大学 : 名古屋大学学術機関リポジトリ