半導体フォトカソードの高量子効率化、高耐久化による電子ビーム技術の刷新

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Material Type: 博士論文
Title: 半導体フォトカソードの高量子効率化、高耐久化による電子ビーム技術の刷新
Author/Editor: 佐藤, 大樹
Author Heading: 佐藤, 大樹
Publication Date: 2020-09-28
Publication Date (W3CDTF): 2020-09-28
Alternative Title: Innovation of Electron Beam Source by Semiconductor Photocathode with High Quantum Efficiency and High Durability
Degree grantor/type: 名古屋大学
Date Granted: 2020-09-28
Dissertation Number: 甲第13306号
Degree Type: 博士(工学)
Text Language Code: jpn
Target Audience: 一般
Format (IMT): application/pdf
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 名古屋大学 : 名古屋大学学術機関リポジトリ