高Aｌ組成AｌＧAＮのエピタキシャル成長と欠陥制御技術

• 資料種別: 図書
• タイトル: 高Aｌ組成AｌＧAＮのエピタキシャル成長と欠陥制御技術
• 著者・編者: 平松, 和政; 三宅, 秀人; 元垣内, 敦司; 宮川, 鈴衣奈; 馬, ベイ; 劉, 玉懐; 黎, 大兵; 呉, 潔君; 胡, 衛国
• 著者標目: 平松, 和政; 三宅, 秀人; 元垣内, 敦司; 宮川, 鈴衣奈; 馬, ベイ; 劉, 玉懐; 黎, 大兵; 呉, 潔君; 胡, 衛国
• 出版事項: 三重大学
• 出版年月日等: 2011-04-22
• 出版年（W3CDTF）: 2011-04-22
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 窒化物半導体; エピタキシャル成長; 貫通転位密度; クラック; 反り; 無極性; 紫外線光源; 電子線励起
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 出版タイプ： VoR; application/pdf; 平成18~22年度科学研究費補助金(特定領域研究)研究成果報告書; 18069006
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 三重大学 : 三重大学学術機関リポジトリ研究成果コレクション

• 要約等: 本研究では、サファイア上のAlNエピタキシャル結晶上へのAlN及び高Al組成AlGaNの低欠陥密度結晶を作製する技術を確立し、高品質高Al組成AlGaN、無極性AlGaN、クラックフリーAlN基板を得ることができた。また、サファイア上のAlNエピタキシャル結晶上への高Al組成AlGaNを用いた電子線...