窒化物半導体ファセット変調構造の創製と広帯域・連続スペクトル白色ＬＥＤの開発

• 資料種別: 図書
• タイトル: 窒化物半導体ファセット変調構造の創製と広帯域・連続スペクトル白色ＬＥＤの開発
• 著者・編者: 平松, 和政; 三宅, 秀人; 元垣内, 敦司
• 著者標目: 平松, 和政; 三宅, 秀人; 元垣内, 敦司
• 出版事項: 三重大学
• 出版年月日等: 2012-05-17
• 出版年（W3CDTF）: 2012-05-17
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: エピタキシャル成長; 選択成長; 非極性; 窒化物半導体; 発光ダイオード
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 出版タイプ： VoR; application/pdf; 平成21~23年度科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書; 21360007
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 三重大学 : 三重大学学術機関リポジトリ研究成果コレクション

• 要約等: 本研究では、連続広帯域スペクトルを有する白色LEDを開発することにより、「波長ばらつきの問題」と「演色性の問題」を同時に解決し、照明に適したLEDの実現を目指すことを目的として、a面GaN上への選択成長とm面の平坦なGaN膜の作製を行った。成長温度と成長圧力を制御することで、ファセットを制御した選択...