窒化物半導体ファセット変調構造の創製と広帯域・連続スペクトル白色ＬＥＤの開発

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Summary, etc.：: 本研究では、連続広帯域スペクトルを有する白色LEDを開発することにより、「波長ばらつきの問題」と「演色性の問題」を同時に解決し、照明に適したLEDの実現を目指すことを目的として、a面GaN上への選択成長とm面の平坦なGaN膜の作製を行った。成長温度と成長圧力を制御することで、ファセットを制御した選択...

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Material Type: 文書・図像類
Title: 窒化物半導体ファセット変調構造の創製と広帯域・連続スペクトル白色ＬＥＤの開発
Author/Editor: 平松, 和政
三宅, 秀人
元垣内, 敦司
Author Heading: 平松, 和政
三宅, 秀人
元垣内, 敦司
Publication, Distribution, etc.: 三重大学
Publication Date: 2012-05-17
Publication Date (W3CDTF): 2012-05-17
Text Language Code: jpn
Subject Heading: エピタキシャル成長
選択成長
非極性
窒化物半導体
発光ダイオード
Target Audience: 一般
Note (General): application/pdf
平成21~23年度科学研究費補助金(基盤研究(B))研究成果報告書
21360007
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 三重大学 : 三重大学学術機関リポジトリ研究成果コレクション