ボンドエンジニアリングによる量子ドット形成機構解明

• 資料種別: 図書
• タイトル: ボンドエンジニアリングによる量子ドット形成機構解明
• 著者・編者: 伊藤, 智徳; 秋山, 亨
• 著者標目: 伊藤, 智徳 イトウ, トモノリ; 秋山, 亨 アキヤマ, トオル
• 出版事項: 三重大学
• 出版年月日等: 2019-05-10
• 出版年（W3CDTF）: 2019-05-10
• 並列タイトル等: Bond engineering in quantum dot formation mechanism
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 半導体量子ドット形成; ヘテロエピタキシャル成長; ぬれ層表面構造; ひずみ緩和; 格子不整合転位; 成長様式; 計算科学
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: 出版タイプ： VoR; application/pdf; 2016年度～2018年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書; 16K04962
• オンライン閲覧公開範囲: インターネット公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 三重大学 : 三重大学学術機関リポジトリ研究成果コレクション

• 要約等: 本研究において，InAs/GaAs系における量子ドット形成においては，(001)に見られる界面転位形成エネルギーEdが大きいこと，(110)に見られる界面で他のひずみ緩和機構の導入によるγの減少が重要であることを見いだした。このEdの大小は表面再構成構造と密接に関連しており，(001)においては表面...