ボンドエンジニアリングによる量子ドット形成機構解明

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Note (General)：: application/pdf2016年度～2018年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書16K04962

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Summary, etc.：: 本研究において，InAs/GaAs系における量子ドット形成においては，(001)に見られる界面転位形成エネルギーEdが大きいこと，(110)に見られる界面で他のひずみ緩和機構の導入によるγの減少が重要であることを見いだした。このEdの大小は表面再構成構造と密接に関連しており，(001)においては表面...

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Material Type: 文書・図像類
Title: ボンドエンジニアリングによる量子ドット形成機構解明
Author/Editor: 伊藤, 智徳
秋山, 亨
Author Heading: 伊藤, 智徳イトウ, トモノリ
秋山, 亨アキヤマ, トオル
Publication, Distribution, etc.: 三重大学
Publication Date: 2019-05-10
Publication Date (W3CDTF): 2019-05-10
Alternative Title: Bond engineering in quantum dot formation mechanism
Text Language Code: jpn
Subject Heading: 半導体量子ドット形成
ヘテロエピタキシャル成長
ぬれ層表面構造
ひずみ緩和
格子不整合転位
成長様式
計算科学
Target Audience: 一般
Note (General): application/pdf
2016年度～2018年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書
16K04962
Access Restrictions: 限定公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 三重大学 : 三重大学学術機関リポジトリ研究成果コレクション