高品質バルクGaN成長に適した気相成長条件および結晶成長プロセスの解明

• 資料種別: 文書・図像類
• タイトル: 高品質バルクGaN成長に適した気相成長条件および結晶成長プロセスの解明
• 著者・編者: 河村, 貴宏
• 著者標目: 河村, 貴宏 カワムラ, タカヒロ
• 出版事項: 三重大学
• 出版年月日等: 2021-04-30
• 出版年（W3CDTF）: 2021-04-30
• 並列タイトル等: Investigation of vapor phase epitaxy growth conditions for high quality bulk GaN and their crystal growth process
• 本文の言語コード: jpn
• 件名標目: 窒化ガリウム; 第一原理計算; 不純物; OVPE成長
• 対象利用者: 一般
• 一般注記: application/pdf; 2018年度～2020年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書; 18K04957
• オンライン閲覧公開範囲: 限定公開
• 連携機関・データベース: 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）; https://irdb.nii.ac.jp
• 提供元機関・データベース: 三重大学 : 三重大学学術機関リポジトリ研究成果コレクション

• 要約等: 本研究ではOVPE法によるバルクGaN単結晶の成長機構の解明を目的として、第一原理計算を用いて(1) O不純物の吸着・脱離反応を含めたGaN成長プロセスの解明と(2) GaN成長における表面再構成とその面方位依存性に関する解析、の2つの研究を行った。(1)ではGaN結晶表面に吸着したO不純物の脱離エ...