高品質バルクGaN成長に適した気相成長条件および結晶成長プロセスの解明

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Note (General)：: 出版タイプ： VoRapplication/pdf2018年度～2020年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書...

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Summary, etc.：: 本研究ではOVPE法によるバルクGaN単結晶の成長機構の解明を目的として、第一原理計算を用いて(1) O不純物の吸着・脱離反応を含めたGaN成長プロセスの解明と(2) GaN成長における表面再構成とその面方位依存性に関する解析、の2つの研究を行った。(1)ではGaN結晶表面に吸着したO不純物の脱離エ...

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Material Type: 規格・テクニカルリポート類
Title: 高品質バルクGaN成長に適した気相成長条件および結晶成長プロセスの解明
Author/Editor: 河村, 貴宏
Publication, Distribution, etc.: 三重大学
Publication Date: 2021-04-30
Publication Date (W3CDTF): 2021
Alternative Title: Investigation of vapor phase epitaxy growth conditions for high quality bulk GaN and their crystal growth process
Subject Heading: 窒化ガリウム
第一原理計算
不純物
OVPE成長
Target Audience: 一般
Note (General): 出版タイプ： VoR
application/pdf
2018年度～2020年度科学研究費補助金(基盤研究(C))研究成果報告書
18K04957
Access Restrictions: インターネット公開
Data Provider (Database): 国立情報学研究所 : 学術機関リポジトリデータベース（IRDB）（機関リポジトリ）
https://irdb.nii.ac.jp
Original Data Provider (Database): 三重大学 : 三重大学学術機関リポジトリ研究成果コレクション